论文摘要：三氧化钨基稀磁半半导体纳米资料的制备与表征

近几年来，具备室温铁磁性的过度非金属掺杂氧化学物理，因其在自旋元器件运用上面的兴盛远景惹起了人们的普遍关心。同二氧化钛一律，三氧化钨等少许半半导体氧化学物理都符合用来制备稀释磁性氧化学物理。本舆论经过水热法，在硫酸钾存鄙人胜利的制备了三氧化钨纳米带。并经过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜（SEM），紫外看来接收光谱（UV-vis）等本领对样本的形貌和光学本能举行了表征。正文合成的三氧化钨纳米带长度在几个忽米，宽窄在100纳米安排，而且深刻接洽了感化反馈的参数，对pH值、温度、功夫、外表活性剂等感化因子归纳领会，获得了最后反馈参数。在制备获得六方相三氧化钨纳米带的普通上，经过水热法治备获得了Co2+复合WO3纳米带。XRD、FT-IR和Raman尝试表白，复合离子在样本中以Co2+情势生存，没产生非金属Co的团簇或氧化学物理。其余，UV-Vis尝试表露，复合后的WO3对射程在500-650nm范畴的看来光有确定的接收，而纯WO3则没有。在PL谱中，Co-WO3在射程470nm处的荧光放射峰强度小于纯WO3的强度。