论文纲要：硅基光调制器件本领接洽

    在光通讯财产的激动下，光电子集成通路（Opto-electronic Integrated Circuit，OEIC）本领兴盛极为赶快，已变成光通讯与光互连本领兴盛的合流趋向。硅基光（Silicon-based Photonics）本领是实行OEIC单片集成的一种灵验本领，动作OEIC体例中的要害功效器件—硅基光学调制器，该器件的实行与兴盛对OEIC的本质运用具备要害的激动效率。正文在国度天然科学基金的帮助下，对硅基MZ光学调制器的安排、创造及尝试本领举行了表面和试验接洽，中心创造了表面模子对器件个性举行了精细的表面领会，决定了器件的优化规则，并贯串工艺与尝试诉求，实行了器件总体计划及工艺过程的优化安排。扶助加工单元实行了器件创造，并搭建了尝试平台对器件的要害本能举行了尝试，实行了器件的道理考证，并对首轮道理器件生存的题目举行了领会，决定了相映的矫正计划，对道理器件本能的进一步普及具备特殊要害的引导意旨。舆论还对一种新式的硅基谐振式调制器——鉴于MZ构造的微环啮合调制器举行了精细的表面领会与本能仿真，同声对其动静个性领会本领举行了矫正与完备，并与保守的硅基微环调制器举行了本能比较。正文重要处事有以次几点：     运用Rsoft的BPM及LaserMOD模块实行了忽米级硅基MZ光调制器的光学个性以及电学个性的表面领会和仿真接洽，鉴于有限差分光束传递法（Finite Difference Beam Propagation Method, FD-BPM），对忽米级脊形光带导光学个性举行了领会，给出了波导单模传输的前提，按照载流子色散效力对换制器电学构造举行了仿真和模仿，归纳了掺杂间隙和掺杂浓淡对电学个性的感化，并给出了最后优化计划，优化后的调制器调制带宽为40.9MHz，半波电压为0.76V。     对准硅基光调制器的加工工艺举行了洪量调查研究，并在此普通上安排了工艺加工过程，按照优化安排计划对器件的掩膜幅员举行了绘制，经过外协实行了样本器件的加工制备，并对器件实行了端面解理。     搭建了精细啮合尝试平台对器件本能参数举行了尝试，实行了忽米级光带导传输耗费、调制器半波电压、消光比等要害参数的尝试。尝试截止表白：传输耗费为1.36dB/cm，半波电压为3.07V，消光比为3.05dB，胜利实行了器件的道理考证。鉴于尝试截止，创造并归纳了器件在安排、加工、尝试上面生存的题目，决定了下一轮器件的矫正目标。     对准功耗小、集成度高的硅基微环调制器提出了一种鉴于动静模子的时域求解本领对环内反射率调制与啮合调制办法下硅基微环调制器的光谱个性、功耗、动静个性举行了模仿与领会，并对两种办法的本能举行了比较。模仿截止表白：环内反射率调制更易实行调制器的高调制功效，而啮合调制则具备无啁啾个性，更利于高速长隔绝光通讯体例中的运用。而且对于环内相位调制，微环光子寿命将控制微环调制器所能赢得的最大调制带宽，而对于啮合调制，微环调制器则能冲破微环光子寿命对换制带宽的控制，在光域上可赢得无穷的调制带宽。