论文摘要：铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究

本舆论接洽在便宜的玻璃衬底上运用铝开辟晶化非晶硅(a-Si)地膜制备多晶硅(poly-Si)地膜。样本沿用glass/Al/a-Si:H构造，接洽了退火前提、铝膜厚薄、铝膜的制备前提等成分对非晶硅地膜晶化的感化。运用X射线衍射(XRD)光谱、拉曼(Raman)光谱、亚原子力显微镜(AFM)等尝试本领接洽了所制备的多晶硅地膜的构造本质，得出重要论断如次：1. 退火温度对非晶硅的晶化有着要害的感化，纵然有通讯说铝开辟晶化非晶硅地膜的最低温度可到达150 ºC，然而想赶快制备高品质的多晶硅地膜，必需符合普及退火温度，起码在300 ºC之上；同声,样本在高温500 ºC下会赶快晶化，延迟退火功夫对样本的晶化功效感化不鲜明。2. 非晶硅地膜晶化为多晶硅地膜后，展示Si(111)面包车型的士选择优秀者取向，并且退火处置功夫越长，退火温度越高，选择优秀者取向越鲜明。3. 在沟通前提下，退火功夫越长，样本的晶化水平越高，赢得的多晶硅地膜的晶粒越大，试验中获得的最大晶粒直径为156 nm，然而地膜外表的精细度减少。4. 在沟通前提下，退火温度越高，样本的晶化速率越快，成核密度越大，赢得的多晶硅地膜的晶粒越小，地膜外表精细度越小。5. 铝膜与非晶硅膜的厚薄生存一个最好的比率，当铝膜与非晶硅膜的厚薄比约为1:1时，获得的多晶硅地膜的晶化功效是最佳的。6. 堆积非晶硅地膜之前，铝膜外表的氧化层对非晶硅地膜的晶化有要害的感化。铝氧化层越厚，铝、硅亚原子的互分散越难，非晶硅膜中的铝浓淡及铝膜中的硅浓淡越小，使硅的成核密度小，可获得尺寸大的硅晶粒；反之，铝氧化层越薄，硅的成核密度越大，会天生尺寸小的硅晶粒。 要害词：非晶硅地膜，铝开辟晶化，多晶硅地膜，X射线衍射，拉曼光谱