舆论摘要：各别形貌氧化铟纳米构造的可控合成和发亮个性

纲要 本文华用非金属铟的原位热氧化法、常压化学气相堆积法、InCl3·4H2O的盐领会法和水热法治备出In2O3纳米线、纳米片、纳米锥、八面体、圆锥形纳米带和空腹闸盒等纳米构造。接洽了它们的形貌、尺寸、晶体构造以及所制备的In2O3空腹闸盒和八面体的发亮本能。提出了各别形貌纳米构造的成长形式与成长机理，为各别形貌In2O3纳米资料的光学本能及其运用接洽奠定了普通。简直接洽截止如次：    (1) 非金属铟的原位热氧化法合成各别形貌氧化铟纳米构造经过非金属铟的原位热氧化法，700-1150 ℃温度范畴内，在非金属铟颗粒的外表径直成长出In2O3纳米线、纳米锥、纳米片和八面体构造。经过遏制反馈温度、氧气引时髦的温度以及金催化剂的运用，实行了各别形貌、各别尺寸In2O3纳米构造的遏制合成，且所得产品大多为没有鲜明缺点的立方相单晶构造，同声对各别形貌In2O3纳米构造的成长机理举行了计划。           (2) 尖锥状In2O3纳米带和竖立纳米线阵列的可控合成在H2O/N2氛围中，Au作催化剂，经过非金属铟800 ℃温度下的径直热氧化反馈，在单质铟外表原位成长出竖立In2O3纳米线阵列，纳米线的莫大在5-10 µm，呈圆锥形构造成长；As-H2O/N2氛围中，700 ℃温度下，在喷金的非金属铟外表原位成长出竖立的尖锥状In2O3纳米带，纳米带的尺寸跟着Au催化剂地膜厚薄的减少而增大。所得In2O3纳米线和纳米带均为单晶立方构造的In2O3，并提出了大概的成长机理。(3) 常压化学气相堆积法合成氧化铟八面体、纳米带、锯条状纳米线和纳米链在 N2/H2O搀和气旋中将硅片上金掩盖的非金属铟颗粒加热到800 ℃制备出了各别形貌的In2O3纳米构造。在距铟源各别隔绝处顺序获得In2O3的八面体，纳米带，锯条状纳米线和纳米链。那些各别形貌的纳米构造均为立方相单晶构造的In2O3。鉴于气-固和缓-液-固成长机理精细领会了八面体，纳米带，锯条状纳米线和纳米链的成长进程，提出了各别形貌In2O3纳米构造的成长形式。(4) InCl3溶液领会法合成In2O3八面体经过InCl3溶液在400-900 ℃的热领会胜利合成出单晶立方构造的In2O3八面体，经过反馈温度的变换，八面体尺寸在0.7-1.5 μm范畴内安排，TEM和XRD领会表白产品为立方相单晶构造的In2O3。创造了所制备的八面体具备发亮峰坐落458 nm的蓝－绿光发亮，这种发亮发源于In2O3八面体中氧空隙的电子与铟－氧空隙重心中的空穴之间的复合发亮。(5) In(OH)3和In2O3空腹闸盒的水热法治备及其发亮本质经过配离子InF4-与乙二清醇水的搀和溶液在140-220 ℃水热反馈12 h，制备出了空腹构造的In(OH)3闸盒，空腹闸盒的形貌和尺寸不妨经过铟源量和温度的变换举行遏制。将所得In(OH)3空腹闸盒经400 ℃热处置2 h变化为In2O3空腹闸盒。XRD和TEM领会表白，In2O3空腹闸盒为多晶立方相构造。即使用丙三清醇CTAB代替乙二醇可获得八个In(OH)3空腹闸盒自组建而成的搀杂纳米构造。