当前位置:首页 > 论文摘要 > 正文内容

论文摘要:自旋阀中反铁磁层对铁磁层电子构造的感化

免费论文3年前 (2022-01-23)论文摘要75

Fe/Cr多层膜中创造巨磁电阻效力此后,因为其在磁阻传感器和磁随机保存器上面的普遍运用,惹起了关系范围的极大关心,进一步的接洽表白,在其它多种多层膜体制中也具备巨磁电阻效力,个中偏置型自旋阀体制因其高精巧度而备受关心。往日的接洽表白,体制的磁阻本能与铁磁层的电子构造出色关系。正文运用鉴于密度泛函表面的分割变分本领(DVM),经过创造具备Co-Ni界面和Co-O界面包车型的士系列模子:NiO(tAL)/Co(4AL)/Cu(2AL) (111) (t=0,2,3,4,5,6,7)以及具备Co-Fe界面和Co-Mn界面包车型的士系列模子:FeMn(tAL)/Co(4AL)/Cu(2AL)(001)( t=0,2,3,4,5,6),计划接洽了上述多层膜体制的电子构造,从电荷变化、态密度和自旋非对称因子等上面计划了氧化学物理型反铁磁性层NiO与合金型反铁磁层FeMn的尺寸成分(层厚、间距)对体制中铁磁性非金属层Co电子构造与其磁阻本能的感化顺序,并在此普通大将两类反铁磁资料举行了比较。对准NiO/Co/Cu体制接洽了氧化学物理型反铁磁资料NiO对铁磁非金属电子构造和体制磁阻效力的感化。接洽截止表白,当Co-Ni界面时,小批电子由NiO变化到Co侧;而当Co-O界面时,小批电子由Co侧流向NiO,且该截止不受NiO厚薄的感化。其余,NiO纵然在确定水平上贬低了NiO/Co界面处铁磁层的自旋劈裂水平,因为NiO同声对Co/Cu界面处铁磁层的感化,当反铁磁层NiO厚薄减少时,体制磁阻效力展示先减少后减小的趋向,而且Co-O界面优于Co-Ni界面,跟着反铁磁-铁磁层间距的减少,体制磁阻效力具备沟通的变革趋向。所以,不妨得出,符合厚薄且具备O-terminated界面包车型的士氧化学物理型反铁磁资料利于于普及体制的磁阻本能。对准FeMn/Co/Cu体制接洽了合金型反铁磁资料FeMn对铁磁非金属电子构造和体制磁阻效力的感化。接洽截止表白,Co-Fe界面和Co-Mn界面状况下,均有电子由FeMn流向Co一侧;FeMn较大水平的贬低了铁磁层的自旋劈裂,在Co-Mn界面时,FeMn/Co界面处的铁磁层以至展示了与其它铁磁层目标差异的自旋劈裂;跟着FeMn厚薄的减少,体制的磁阻效力先减小后减少,结果趋于定值,Co-Fe界面与Co-Mn界面包车型的士情景一致。与氧化学物理各别,符合普及合金型反铁磁资料厚薄利于于体制的磁阻本能。经过比拟创造,氧化学物理型和合金型两种典型的反铁磁资料对铁磁层电子构造的感化有很大辨别。因为Ni、O、Fe、Mn四种元素电子构造的分辨,引导了它们与Co层之间彼此效率的各别,形成了Co层自旋劈裂的各别水平的贬低,个中FeMn对Co层自旋劈裂的贬低鲜明大于NiO;从铁磁层/非磁层界面处(Co/Cu)铁磁层的自旋关系散射商量体制的巨磁阻效力,NiO钉扎层利于于自旋阀的磁阻效力,而FeMn钉扎层则控制了自旋阀的磁阻效力。其余,体制贯串能的计划截止表白,对于FeMn/Co界面,产生Co-Fe界面和Co-Mn界面包车型的士时机均等;而对于NiO/Co界面,利于于产生Co-O界面构造。所以,氧化学物理反铁磁层(NiO)/铁磁层(Co)界面状况对体制感化较大,而合金反铁磁层(FeMn)/铁磁层(Co)界面临体制感化很小。

发表评论

访客

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法和观点。