论文摘要：TiO2基稀磁半半导体的制备与物性接洽

稀磁半半导体不妨同声运用载流子的自旋和电荷结构出磁电一体化的半半导体器件，它将是载流子的电荷和自旋的桥梁，是自旋电子学接洽的要害前沿课题之一，也是实行新式半半导体器件的理念资料。因为TiO2自己具备很好的物理与化学个性，如高的反射率、在看来光和红外范畴极好的透光性以及高的介电常数、光催化等特殊的本质，以TiO2为基的通明稀磁半半导体有很好的运用远景。 本文华用溶胶-凝胶法与静电自组建法治备出3d过度族非金属（Co, Fe）掺杂TiO2基稀磁半半导体的纳米面末和纳米地膜样本，探究了赢得居里点在室温之上的通明稀磁半半导体的制备本领和工艺前提；并运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能量散射谱（XEDS）、振荡样本磁强计(VSM)、分光灯光计等精细接洽Co(Fe):TiO2粉末样本和地膜样本的微观构造、化学状况、磁学以及光学本质。 试验截止表白：运用溶胶-凝胶法和静电自组建本领相贯串，可制备出室温具备铁磁性的掺杂(Co,Fe)的TiO2地膜，其饱和磁化强度约为10-4emu的数目级，剩磁在10-5emu的数目级，矫顽力在400-500Gs邻近，而且跟着掺杂浓淡的减少饱和磁化强度和结余磁化强度都有所减少，矫顽力却有所低沉，而对于跟着热处置温度变革的情景却凑巧差异。 正文还运用TiO2陶瓷靶及发射电波频率磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了TiO2通明地膜，精细计划了地膜的晶体构造、外表形貌、光学本质随衬底温度和溅射功率的变革情景。试验截止表白：（1）跟着衬底温度和溅射功率的减少，TiO2地膜的锐钛矿相结晶状况有所巩固，接着出现款红石构造，而且地膜的外表精细度也有所减少，然而地膜平均精致，成长杰出。（2）跟着衬底温度和溅射功率的加大，接收边展示红移，表领会能带变窄。