论文摘要：AAO模板制备的纳米线

纲要 多孔阳极氧化铁(AAO)沙盘依附其耐高温、绝缘性好、孔洞散布平均无序且巨细可控等便宜，变成一种常用的合成纳米资料的沙盘。本舆论重要对准以多孔阳极氧化铁(AAO)沙盘中准则的孔道为硬沙盘，沿用化学本领和电化学本领在孔道中制备纳米线。1.在硫酸、草酸、盐酸三种电解质中胜利制备了孔径在10－200nm，孔道长为5－25μm的无序多孔阳极氧化铁(AAO)沙盘，接洽了氧化电压对沙盘孔径以及程序性的感化。决定了最好制备工艺参数。个中，在0.3M的草酸溶液40V的阳极氧化电压1℃的制备前提下，制备出来的沙盘程序性最佳。2.将多孔阳极氧化铁沙盘从未氧化铁基体剥离后，30℃前提下浸泡在5wt%的盐酸30min，不妨实足去除多孔阳极氧化铁沙盘底部的遏制层，获得双面通孔的氧化铁沙盘。而且创造跟着浸泡侵蚀功夫的延迟，沙盘的孔径也是连接夸大。3.沿用简单的侵蚀沙盘法治备了直径均一（15nm）的氧化铁纳米线，并对其举行了表征，提出了此种制备本领的机理，并经过表面计划举行了考证。4.经过电化学减薄法（降压法）减薄了多孔氧化铁(AAO)沙盘的遏制层，实行了在不去除未氧化高纯铝和遏制层的情景下，运用交谈电堆积制备了直径为40nm，长度2μm 的Ag纳米线和直径为40nm，长度3μm 的In 纳米线。简化了电堆积法治备纳米线的办法。接洽了遏制层厚薄，堆积电压和沙盘孔道长度对堆积进程的感化。交谈电堆积制备Ag的最好堆积电压为8V。并在交谈电堆积制备Ag纳米线的接洽普通上，沿用交谈电堆积法治备了直径为40nm，长度3μm 的In 纳米线，接洽了堆积电压对堆积进程的感化。交谈电堆积制备Ag的最好堆积电压为8V。5.试验了用负压差法在双面通孔的多孔氧化铁沙盘的孔道内贯注金溶胶制备金纳米线。 要害词：多孔阳极氧化铁沙盘，纳米线，交谈电堆积