舆论纲要：Ge/Si(001)量子点DOME产生和宁静性的第一道理接洽

Ge/Si自构造量子点动作百般半半导体自构造量子点接洽的模子体例，从来都是接洽的热门。Ge在Si(001)外表的成长展现为Stranski-Krastanov型成长，即胜过3~4个Ge单亚原子层（浸湿层）后，成长办法由二维层状成长变化为三维岛状成长，成长出的三维岛囊括由(105)晶面构成的较小的HUT和重要由(113)晶面构成的较大的DOME。正文主假如对准DOME构造中的Ge/Si(113)晶面举行接洽，经过鉴于密度泛函表面平局域密度好像的第一道理赝势本领，运用VASP软硬件举行模仿计划，领会DOME的产生体制及其宁静性等。作家对Si(113)外表的(3×1)-AD、(3×1)-AD(p)、(3×2)-AD(op)、(3×1)-AI、(3×2)-ADI和(2×2)-TPI&R等6种要害重构构造举行了优化计划，获得了百般重构构造的好多参数、外表能以及外表应力等关系数据，截止表白具备自间歇亚原子的重构外表的外表能较低，对立宁静。在 (3×1)-AI、(3×2)-ADI和(2×2)-TPI&R三种具备自间歇亚原子的Si(113)重构外表长进行Ge亚原子堆积的接洽表白，跟着Ge堆积层数的减少，Ge/Si(113)外表的外表能渐渐贬低，并且 Ge在Si(113)外表上堆积到3层之前，外表应力都展现为张应力，之后变化为压应力。证明形成DOME的Ge/Si(113)外表在压应急前提下是能量很低的宁静外表，而且Ge亚原子在Si(001)外表上自构造成长量子点，当成长到3个(113)层厚（十分于约4个(001)层厚）时发端产生DOME。由计划所得的外表能和外表应力可知，Ge在Si(113)外表上堆积开始展现为(3×2)-ADI重构，跟着堆积层数的减少渐渐变化为 (3×1)-AI重构，最后产生(2×2)-TPI&R重构，这与试验查看到的Ge/Si(113)→(2×2)外表是普遍的。正文对Ge/Si(001)自构造量子点的产生进程给出了一种证明：Ge在Si(001)外表上作外延成长，堆积前期Ge亚原子量少或温度较低时，先产生观点较低的HUT岛，此岛是亚宁静的；之后跟着Ge亚原子堆积量的增大或温度较高时，产生了更宁静的大岛DOME。