舆论纲要：氧化锌和氧化锡纳米资料的制备及本质接洽

ZnO 是一种要害的径直宽带隙半半导体,室温下禁带宽窄为3.37 eV，激子牵制能为60 meV，对于开拓蓝绿、蓝光、紫外等多种发亮器件有宏大后劲。正文开始对连年来纳米ZnO 的重要制备本领及光学本质接洽发达举行了综述。沿用大略、平静的微乳液法在用CTAB（十六烷基三甲基溴化铵）动作外表活性剂的前提下在二甲苯体制顶用水合肼恢复ZnAc2•2H2O，胜利的获得了尺寸散布平均的纺锤体构造的纳米ZnO晶体，并对其成长机理和光学本质举行了接洽。正文另一个处事是在大略、平静前提下，运用高分子化装法，以PVP（聚乙烯吡咯烷酮）动作外表化装剂，胜利制备了平衡直径大概为8 nm金红石构造的纳米SnO2颗粒，并对其成长机理和光学本质举行了接洽。接洽表白因为颗粒尺寸的变小产品的XRD图谱爆发了鲜明的宽化；在382nm处获得了较强的紫外荧光峰，而且在419 nm和515 nm处有两个发亮峰；拉曼光谱峰位都向低频次挪动了大概160 cm-1，而且有鲜明的宽化。