行业舆论：AlGaN/GaN HEMT器件参数索取与建立模型

AlGaN/GaN HEMT（铝镓氮/氮化镓异质结高电子迁徙率场效力晶体管）器件属于继硅和砷化镓之后的第三代半半导体器件，因氮化镓资料的崇高个性（宽禁带、高电子迁徙率和高临界击穿磁场等），而具备功率密度大、处事功效高、耐高温等特性，运用范围普遍。在这种新式器件的研制傍边，新的资料、器件构造给器件个性的表征、器件模仿等处事都带来了很多题目和挑拨。正文重要接洽对准AlGaN/GaN HEMT器件举行片上器件丈量、参数索取、以及建立通路仿真用器件模子。接洽提出了一套较为完备的器件丈量及参数索取计划，安排了特意用来参数索取的Open Dummy、Short Dummy等特出器件构造幅员，而且运用Cold-FET、Yang-Long等器件丈量本领。沿用鉴于等效通路的建立模型道理建立器件模子，在仿真软硬件中实行器件参数的索取，并将器件参数介入模子举行模仿。模子中还中心商量到了热效力等题目，沿用了一种新的热阻计划本领。正文的器件丈量计划适用而且可行，所运用的特出幅员与特出丈量贯串的本领贬低了寄生参量的感化，普及了参数索取精度。器件模子的模仿截止表露，模子精度理念，不妨如实的模仿出囊括热效力在前的器件处事个性。正文的器件丈量和参数索取计划对于其它资料和构造的肖特基栅器件（如砷化镓、MESFET等）也具备确定的通用性。