论文纲要：CdTe基纳米棒阵排列制成备及其本能接洽

碲化镉(CdTe)是一种II-VI族复合物半半导体资料，因为其符合的禁带宽窄和较高的光接收系数，连年来动作一种太阳能干电池半半导体资料遭到普遍的关心。同声，表面计划截止表白，制备低维化的CdTe纳米构造希望进一步的提高暂时太阳能干电池的功效。所以，正文运用磁控溅射堆积本领，经过调节和控制磁控溅射工艺参数实行对碲化镉低维纳米构造形貌和晶型的调节和控制，探究了其成长体制，并将具备特出纳米构造的碲化镉运用于光电变换和光热电变换中，赢得较好的截止。重要实质和功效如次： 第一，引见了太阳能干电池及CdTe地膜太阳能干电池的特性和构造，并引见了低维化对提高太阳能光电变换功效的要害效率和暂时光电热电运用太阳能的近况，进而提出接洽的实质和目的。 第二，运用磁控溅射法，经过安排磁控溅射的基底温度、处事气压、溅射功率及溅射功夫胜利制备了具备一维定向的CdTe纳米棒阵列，并在四种各别基底赢得实行，同声计划及接洽了其成长的体制机理和光电本能。在成长机理的引导下，实行了在各别基底上CdS一维纳米棒的可遏制备，同声实行了三维CdTe纳米构造的制备，赢得了超疏水的界面。 第三，经过进一步伐控溅射的工艺参数，胜利实行了闪锌矿型和纤维锌矿型CdTe一维纳米棒阵列的可遏制备，同声接洽了其成长体制机理，并接洽了各别晶型CdTe纳米棒阵列光接收、载流子输运及对光电本能的感化。 第四，将CdTe一维纳米棒阵列运用于光电变换本能的接洽，对CdTe/TiO2核壳构造纳米棒和CdS量子点/CdTe纳米棒复合构造举行了光电本能的接洽，接洽截止表白，一维纳米棒提高了复合构造的光电本能。 第六，将CdTe一维纳米棒阵列运用于光电-热电一体化构造，旨在实行了光电资料和热电资料在资料一体化观点的复合，实行了太阳能光热一体化运用。并安排了光热电一体化光电极和异质结构造，实行了太阳能光电热电本能的共同运用。