舆论摘要：涂层半导体中钙钛矿型缓冲层接洽

对立于Bi-2223/Ag第一代高温超导带材，在77K具备更好磁场载流本能的YBa2Cu3O7-d (YBCO)涂层半导体的接洽，已变成暂时适用高温超导资料的接洽热门之一。涂层半导体缓冲层本领是接洽YBCO涂层半导体的一个要害构成局部。连年来，缓冲层本领正在表露由多层构造向单层构造、由多种堆积本领拉拢向简单堆积本领的兴盛趋向。对于搀杂多层构造的缓冲层，各别氧化学物理之间的物生化学个性分别，引导缓冲层制备进程普遍沿用多种地膜制备本领的拉拢；多种地膜本领的拉拢使得涂层半导体的制备进程搀杂，制备功夫繁杂，也倒霉于贬低带材的本钱；缓冲层的层数越多，遏制成长、微观构造和界面构造的本领难度就越大。所以，简化缓冲层构造就变成简化涂层导机制备本领的兴盛目标。近几年来，美利坚合众国和阿曼的接洽组织，在缓冲层资料的采用与制备本领上面赢得的胜利，为兴盛单缓冲层涂层半导体长带本领带来了蓄意。钙钛矿型复合物是一种比拟理念的缓冲层资料。本舆论以涂层半导体中钙钛矿型单缓冲层为接洽东西，中心接洽了单缓冲层的制备工艺，采用了两大类资料—具备大略钙钛矿构造的氧化学物理La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）和具备双钙钛矿构造的氧化学物理La2NiMnO6（LNMO）、Nd2NiMnO6（NNMO）动作缓冲层的候选资料，用固相法、化学溶液法（CSD）法治备上述缓冲层资料的块材，并经过对其构造及形貌领会，决定了制备那些块材的最好工艺前提。运用非金属无机物堆积本领（MOD）在Y宁静ZrO2（YSZ）单晶基片上制备了La2NiMnO6、Nd2NiMnO6、La0.7Sr0.3MnO3单缓冲层，并对其构造及外表形貌举行了表征，胜利地创造了MOD法治备单缓冲层的新工艺。创造了制备宁静的LSMO、LNMO、NNMO先驱液的本领。 本舆论由三局部构成。第一局部为弁言，引见了YBCO涂层半导体的本质和仍旧适用化的YBCO涂层半导体，中心引见涂层半导体缓冲层的接洽情景、制备本领及兴盛趋向，结果阐明了本舆论的选题按照和接洽计划。第二局部为地膜制备本领道理及领会尝试本领引见。第三局部为试验截止局部，由三局部构成，辨别为大略钙钛矿缓冲层接洽、搀杂钙钛矿缓冲层接洽，以及论断与预测。本舆论发展了以次接洽处事：1.                 沿用固相法治备了La2NiMnO6+d  块材，并经过X射线衍射本领（XRD）对其构造举行了表征。试验截止表露，在1150℃、1200℃、1350℃三种温度下热处置，均可赢得La2NiMnO6+d相为主相的块材，但是，不管在上述哪种温度下热处置，制备的La2NiMnO6+d粉末中都生存小批的La2NiO4相。2.                 沿用CSD法治备了La2NiMnO6+d块材，并经过XRD、扫描电子显微镜（SEM）对其构造及外表形貌举行了表征。截止表露，沿用La(NO3)3、Ni(NO3)2、Mn(CH3COO)2 动作先驱体，采用稍贫La的表面配比，在较低温度范畴（800℃～1000℃）、短功夫（3h）热处置，不妨获得单斜相的La2NiMnO6+d  块材，所获块材的晶粒散布平均精致，晶粒平衡尺寸约为200nm。3.                 沿用CSD法治备了Nd2NiMnO6 块材，并经过XRD、SEM对其构造及外表形貌举行了表征。截止表露，沿用Nd(NO3)3、Ni(NO3)2、Mn(CH3COO)2 动作先驱体，采用在1000℃～1300℃，热处置3 h，均可获得单斜相的Nd2NiMnO6 块材，该块材的晶粒散布平均精致，晶粒平衡尺寸约为200nm。4.                 经过考查各别先驱体和各别溶剂等，赢得了MOD法治备La2NiMnO6、Nd2NiMnO6、La0.7Sr0.3MnO3  缓冲层地膜先驱液的制备本领。5.                 沿用MOD法，在YSZ单晶基片制备了La2NiMnO6、Nd2NiMnO6、La0.7Sr0.3MnO3 单缓冲层，运用XRD以及亚原子力显微镜（AFM）等本领对晶体取向及外表形貌等上面举行了接洽，优化和矫正了缓冲层的制备工艺。