舆论摘要：GaN、GeO2一维纳米构造的原位成长与发亮个性

本舆论以非金属镓和单质锗片为材料，辨别在镓颗粒和单质锗片上原位大表面积成长出了GaN纳米带、Z字构造纳米线和GeO2纳米线以及图案化GeO2忽米线。接洽了它们的形貌、晶体构造和发亮个性，提出了各别形貌GaN纳米构造和GeO2纳米线的成长机理。为各别形貌GaN、GeO2一维纳米构造的光电本能和运用接洽奠定了确定的普通。(1) 在氢气氛围中加热非金属镓到1050 ℃(通入氢气前没有抽真空除气氛)，与氨气反馈30 min，在镓颗粒外表原位成长出了GaN纳米带、纳米环和Z字构造纳米线。所得的各别形貌GaN纳米构造均为单晶六方纤锌矿构造，纳米带宽窄在20～300 nm，长达30 μm；纳米环直径在5～8 μm范畴；Z字构造纳米线的直径约为160 nm。接洽了反馈温度和功夫对产品形貌和构造的感化，提出了各别形貌GaN纳米构造的大概产生机理。从GaN纳米构造中查看到了发亮峰坐落361 nm强的紫外光发亮和456 nm弱的蓝光发亮，这两种发亮辨别发源于GaN宽带隙带边的激子放射和浅的给体向深的局域受体的跃迁。(2) 加热前抽真空，以取消管式炉内的剩余气氛，而后在氢气中加热到900～1050 ℃，经过非金属镓与氨气径直反馈，在镓颗粒和氧化铁衬底上原位成长出了GaN纳米线、Z字构造纳米线和纳米锯。所得各别形貌GaN均为单晶六方相构造，纳米线直径在90～650 nm，长度达30 μm；Z字构造纳米线的直径为300 nm，长达150 μm；纳米线的成长按照气-固成长机理，证明了各别形貌GaN纳米构造的产生因为。创造了发亮峰坐落362 nm强的紫外光发亮和460 nm弱的蓝光发亮，这两种发亮辨别发源于GaN宽带隙带边的激子放射和浅的给体向深的局域受体的跃迁。(3) 以Au作催化剂经过非金属锗与蒸气在450～700 ℃的氧化反馈，在单质锗外表原位大表面积成长出了GeO2纳米线。在450～500 ℃和600～700 ℃辨别获得立方相和六方相单晶构造的GeO2纳米线。经过变换反馈温度和功夫，纳米线的直径可在20～150 nm、长度可在500 nm～200 μm范畴内安排。纳米线的成长按照气-液-固成长机理。创造发亮峰坐落352、397和480 nm强的紫外光和蓝光发亮，这两种发亮大概辨别发源于GeO2纳米线中氧空隙与间歇氧之间的跃迁和氧空隙中的电子与锗-氧空穴重心的空穴复合。(4) 沿用光刻本领在单质锗片上制备出图案散布的Au催化剂，将掩盖有Au图案的锗片在气氛中加热到600 ℃，在单质锗外表原位成长出了图案化的GeO2忽米线。所得GeO2忽米线为单晶六方相构造，直径约1 μm，长达 10 μm。接洽了GeO2的产生进程，提出了锗的固-液-固和氧的气-液-固共同效率产生GeO2忽米线的成长机理。