论文摘要：鉴于CMOS工艺的接受机发射电波频率前者集成通路安排

接受机接受到的发射电波频率旗号从天馈下来此后，即是发射电波频率前者接受通路，其本能是非对所有体例有很大感化。更加是跟着无线接受体例袖珍化及低本钱的兴盛趋向，人们诉求体例集成度越来越高。因为基带局部以处置数字旗号为主，多运用高集成度的硅CMOS工艺。而在发射电波频率/中频局部，暂时合流工艺仍以砷化镓、锗硅工艺为主，这倒霉于与基带处置模块集成。跟着发射电波频率CMOS工艺的兴盛，特性尺寸的连接减少，CMOS工艺渐渐运用到模仿、发射电波频率通路，使得用CMOS工艺安排出适合诉求的发射电波频率前者通路如低噪声声夸大器，混频器等变成大概。正文开始比拟了百般接受机发射电波频率前者的构造，领会了百般构造的是非。决定了各局部通路构造后，而后沿用台积电0.25um RF CMOS工艺实行了可运用于2.4GHz的发射电波频率前者芯片，个中囊括低噪声放和正交下变频器，及片上恒定Gm的偏置交流电源。仿真东西运用Cadence的SpectreRF发射电波频率仿真器，实行了道理安排到之后的仿真截止，结果实行幅员安排。幅员表面积1.25x2.5mm2，功耗为50mW。