舆论摘要：非晶硅地膜光学本质的接洽及非金属铝开辟多晶硅地膜的制备

太阳能干电池在缓和动力紧急妥协决情况传染上面有要害的接洽和运用价格。在各类太阳干电池中地膜太阳干电池以低本钱和较高变换功效的特性变成暂时的接洽和开拓热门，更加是多晶硅地膜太阳干电池，具备材料根源充分、本钱便宜、能源消耗低、本能宁静高效和运用范畴普遍的便宜，希望变成代替晶体硅的第二代太阳干电池。本舆论开始沿用等离子体体增加强学气相堆积(PECVD)法治备非晶硅地膜，并对非晶硅地膜的光学本质举行了接洽，运用自治的卡具矫正分光灯光计的安装，用来丈量非晶硅地膜的透射光谱, 经过对透射光谱的拟合和计划，决定出它的光学本质。其次用非金属铝开辟晶化法治备多晶硅地膜，沿用glass/a-Si:H/Al的构造，用拉曼(Raman)光谱、X射线衍射(XRD)光谱、亚原子力显微镜(AFM)等表征本领接洽了铝开辟晶化进程中百般成分对多晶硅地膜构造的感化，得出如次论断：1. 所制备非晶硅地膜反射率与入射光带长的联系为：n=1.6×105/l2+2.88；接收系数与入射光带长的联系为：lgα=6.48×105/l2-4.8以及非晶硅地膜的光学带隙为1.56 eV.2. 在铝开辟晶化进程中，退火温度越高、退火功夫越长，越利于于地膜结晶及晶粒长大，而且创造退火温度与退火功夫是彼此关系的。高的退火温度须要短的功夫实足晶化；低的退火温度须要较长功夫本领实足晶化。3. 初次提出两步退火，发此刻两步退火进程中，生存晶化功效好的优化点，如先在300℃下退火2h，而后连接升压到500℃退火3h，制备出的多晶硅颗粒大，外表润滑，有确定的运用价格。4. 硅膜厚薄越厚越利于于地膜晶化，但生存一个极值点，当硅膜厚薄大于这个极值点时，地膜的晶化率低沉。5. Al与a-Si:H之间的氧化层产生遏制层。氧化层越厚，Al和 Si亚原子互分散难，成核密度越少，产生的硅晶粒越大；反之，氧化层越薄，成核密度越大，产生硅晶粒越小。6. 在铝开辟层调换进程(ALILE)中，最大启动力利害晶硅晶化能的开释，因为硅晶化进程的限制性，这局部能量对层调换的爆发并没有奉献，而爆发层调换的启动力是由铝相直观应力和微观应急的随便及铝颗粒的成长惹起弹本能的开释。